DASH 大树半导体 · DASH Semiconductor

DBC 与 AMB 陶瓷基板

标准大板常备库存,图形按图纸蚀刻定制。

Al₂O₃ 96% DBC substrate
直接覆铜

Al₂O₃ 96% DBC

性价比之选,适用于硅基 IGBT 模块和通用电力电子。

热导率
24 W/m·K
抗弯强度
≥ 400 MPa
陶瓷厚度
0.32 · 0.38 · 0.635 mm
铜层厚度
0.2 · 0.3 mm

典型应用: IGBT 模块、工业变频、电源

AlN DBC substrate
直接覆铜

AlN DBC

热导率约为氧化铝的七倍,适合发热量大的器件。

热导率
170 W/m·K
抗弯强度
≥ 350 MPa
陶瓷厚度
0.635 mm
铜层厚度
0.3 mm

典型应用: 高热流密度器件、激光器、射频功率

Si₃N₄ AMB substrate
活性金属钎焊

Si₃N₄ AMB

断裂韧性和温度循环寿命最高,SiC 主驱模块的首选。

热导率
≥ 80 W/m·K
抗弯强度
> 700 MPa
陶瓷厚度
0.25 · 0.32 mm
铜层厚度
0.127 – 1.2 mm

典型应用: SiC MOSFET 模块、新能源汽车主驱逆变器

AlN AMB substrate
活性金属钎焊

AlN AMB

兼具 AlN 的高导热和钎焊界面的高可靠性,比直接覆铜更耐用。

热导率
> 170 W/m·K
抗弯强度
> 350 MPa
陶瓷厚度
0.38 · 0.63 · 1.0 mm
铜层厚度
0.127 – 1.2 mm

典型应用: 大功率工业及轨道交通模块

参数一览

以下为典型值,完整规格书可联系索取。

类型陶瓷λ (W/m·K)抗弯强度 (MPa)陶瓷厚度 (mm)铜厚 (mm)
DBCAl₂O₃ 96%24≥ 4000.32 · 0.38 · 0.6350.2 · 0.3
DBCAlN170≥ 3500.6350.3
AMBSi₃N₄≥ 80> 7000.25 · 0.320.127 – 1.2
AMBAlN> 170> 3500.38 · 0.63 · 1.00.127 – 1.2

表面处理

裸铜、镀镍、镀银、化学镍金

大板尺寸

标准 138 × 190 mm,其他尺寸可定制

加工能力

蚀刻、激光划片、分切、半蚀刻凹坑