DBC 与 AMB 基板设计规则。按此设计，图纸可直接投产。
| 陶瓷 | 抗弯强度 (MPa) | 热导率 @20 °C (W/m·K) | 热膨胀系数 20–400 °C (ppm/K) | 介电常数 @1 MHz | 击穿强度 (kV/mm) | 杨氏模量 (GPa) | 密度 (g/cm³) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si₃N₄（高导热） | > 700 | ≥ 80 | 2.6–2.9 | 9.0 | > 25 | 310 | 3.22 |
| Si₃N₄（标准） | ≥ 625 | ≥ 65 | 2.6–2.9 | 8.0 | > 25 | 310 | 3.17 |
| AlN | > 350 | > 170 | 4.6 | 8.7 | > 15 | 320 | 3.30 |
| Al₂O₃ 96% | ≥ 400 | 24 | 6.8–7.1 | 9.8 | > 15 | 340 | 3.75 |
无氧高导铜（OFHC），纯度 99.99 %，20 °C 电导率 58 MS/m。
| 厚度 | Si₃N₄ | AlN | Al₂O₃ |
|---|---|---|---|
| 0.25 | ● | – | – |
| 0.32 | ● | – | ● |
| 0.38 | – | ● | ● |
| 0.63 | – | ● | ● |
| 1.00 | – | ● | – |
正反面铜厚可以不同。其他陶瓷和铜厚可定制。
蚀刻后的铜层侧壁是斜的：线距在铜面顶部最窄，线宽在底部最宽。下表数值均以陶瓷侧（铜层底部）的图形为准。
| 铜厚 d (mm) | 最小线距 (mm) | 最小线宽 (mm) |
|---|---|---|
| 0.127 | 0.20 | 0.20 |
| 0.20 | 0.30 | 0.35 |
| 0.25 | 0.35 | 0.40 |
| 0.30 | 0.40 | 0.50 |
| 0.40 | 0.50 | 0.60 |
| 0.50 | 0.60 | 0.70 |
| 0.80 | 0.70 | 1.00 |
| 铜厚 d (mm) | 最小边距 (mm) |
|---|---|
| 0.10 – 0.25 | 0.20 |
| 0.30 – 0.50 | 0.30 |
| 0.80 | 0.50 |
| 铜厚 d (mm) | F = d / A |
|---|---|
| 0.10 – 0.30 | ≥ 3.0 |
| 0.40 – 0.50 | ≥ 2.5 |
| 0.80 | > 2.0 |
高压设计中，线距通常由爬电距离和局部放电要求决定，而不是蚀刻能力。告诉我们你的阻断电压，我们帮你核算。
| 铜厚 d (mm) | 公差 (mm) |
|---|---|
| 0.10 – 0.15 | ± 0.10 |
| 0.20 – 0.30 | ± 0.15 |
| 0.40 – 0.50 | ± 0.20 |
| 0.50 – 0.80 | ± 0.25 |
| 铜厚 d (mm) | 错位 (mm) |
|---|---|
| ≤ 0.30 | < 0.15 |
| 0.40 – 0.80 | < 0.20 |
| 陶瓷厚度 (mm) | 公差 (mm) |
|---|---|
| ≤ 0.38 | ± 0.05 |
| 0.38 – 0.635 | ± 0.15 |
| ≥ 0.635 | ± 0.20 |
Rmax ≤ 50 µm · Ra ≤ 1.5 µm · Rz ≤ 10 µm （可定制更低粗糙度）
| 处理方式 | 厚度 | 适用 |
|---|---|---|
| 裸铜 | — | 成本最低，到货后应尽快焊接或烧结 |
| 防氧化（OSP） | — | 保护裸铜，便于存放 |
| 化学镀镍 | 3–7 µm, 6–10 % P | 焊接和键合表现稳定 |
| 化学镍金（ENIG） | Ni 3–7 µm, Au 0.01–0.1 µm | 保存期长，适合精细焊接 |
| 化学镀银 | 0.1–1 µm | 银烧结首选 |
| 项目 | 规则 |
|---|---|
| 最小阻焊宽度 | ≥ 0.20 mm |
| 阻焊位置公差 | ± 0.20 mm |
| 阻焊最小间距 | ≥ 0.20 mm |
| 阻焊边缘到铜层边缘 | ≥ 0.10 mm |
| 耐热性 | ≤ 288 °C / 30 s; ≤ 320 °C / 10 s |
以上为典型工艺能力，更严公差和其他厚度可按项目协商。