DASH 大树半导体 · DASH Semiconductor

质量与可靠性

快,不等于不可靠。以下是我们基板的测试标准。

≥ 5000次

冷热冲击,Si₃N₄ AMB

−65 ↔ +150 °C

≤ 1 %

焊合空洞率

SAT,50 MHz

≥ 10N/mm

铜层剥离强度

典型值 18 N/mm

≤ 0.5 %

翘曲度

相对对角线长度

可靠性指标

基于标准叠层测试。你的设计的测试结果可随首批样品提供。

测试项目指标条件 / 典型值方法
铜层剥离强度≥ 10 N/mm典型值 18 N/mmIPC-TM-650 2.4.8, 50 mm/min, 0.3 mm Cu
焊合空洞率(AMB)≤ 1 %每批扫描SAT, 50 MHz probe, 100 µm/pixel
冷热冲击,Si₃N₄ AMB≥ 5000 cycles0.3 Cu / 0.32 Si₃N₄ / 0.3 Cu−65 °C ↔ +150 °C,保温 15 min,转换 < 15 s
冷热冲击,AlN AMB≥ 800 cycles0.3 Cu / 1.0 AlN / 0.3 Cu−65 °C ↔ +150 °C,保温 15 min,转换 < 15 s
翘曲度≤ 0.5 %激光轮廓仪测量平面度 / 对角线长度
可焊性≥ 95 % wettingSnSb5 焊片,甲酸气氛J-STD-003, Test A1
铝线键合剪切力≥ 1000 gf铝残留 ≥ 50 %300 µm(15 mil)铝线
银烧结芯片剪切强度≥ 30 MPa芯片 ≥ 3 × 3 mmT/CASA 018-2021

为什么 Si₃N₄ AMB 更耐用

陶瓷更韧

Si₃N₄ 的断裂韧性约为 Al₂O₃ 和 AlN 的两倍,铜层应力产生的微裂纹不易扩展。

钎焊界面

活性金属钎料让铜与陶瓷形成化学结合,比直接覆铜能承受更厚的铜层。

铜层更厚

铜厚最高 1.2 mm,横向散热更好、载流更大,同时不牺牲循环寿命。

阅读:SiC 模块如何选基板(英文)→

每批出货包含

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尺寸报告

每批测量外形、铜厚和关键线距。

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外观检验

划伤、凹坑、变色及线距内残铜。

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超声扫描(SAT)

AMB 批次检查焊合空洞,扫描图可按需提供。

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合格证明

每批确认材料、厚度和表面处理。

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RoHS / REACH

所有标准材料均可提供声明。

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可追溯

每箱标注大板号和批次号。